Keysight IC-CAP

　　Keysight IC-CAP 2020是一款器件建模软件，可以帮助用户在软件设计多种电子设备模型，方便为厂家开发新的电子设备，现在很多硬件都是通过建模的方式预先在电脑上分析各种加工方案，计算设备数据，设计编程命令，设计完毕以后就可以开始加工设备，Keysight IC-CAP 2020可以帮助用户快速分析设备参数，提供可视化与编程功能、仪器驱动程序、仿真器和优化算法，帮助用户在软件上仿真设备，设计模型，分析电磁数据，设计电路板，仿真电子仪器，非常适合电子设备开发和电磁仿真人员使用，如果你需要建立各种器件模型就可以下载这款软件！

软件功能

　　1、IC-CAP建模软件提供模块化产品，以便您可以准确地选择特定建模所需的模块脚本。IC-CAP平台的中心是IC-CAP软件环境支持图形分析、编程通过参数提取语言（PEL）和Python，以及自定义模型和用户界面发展。需要分析模块在大多数模拟建模应用中，优化和外部接口模拟器。IC-CAP支持测量仪器，包括直流、LCRZ和射频。

　　2、最先进的自动化

　　测量溶液有了IC-CAP WaferPro，IC-CAP提供了最先进的设备建模解决方案自动化测量。专门的测试计划IC-CAP平台内的环境允许

　　测量和后处理的测试工程师使用各种按键和第三方的数据仪器。

　　3、精确键控专用

　　和行业标准模型IC-CAP包含精确的建筑模型以及维护最新的模型库。在单个环境中，您可以使用IC-CAP自动化测量，模拟设备性能，提取数据，优化模型参数，进行统计分析，并生成最坏情况的模型。集成电路盖为工业提供提取例程标准，以及Keysight专有二极管、BJT、MOSFET、MESFET的型号，血红素，噪音，热模型，和其他。提取模块提供完整的直流至射频参数提取功能。此外，IC-CAP支架模型与提取由第三方开发的程序，以及许多其他的模拟软件包装，以适应广泛的客户要求。IC-CAP也支持Verilog-A模型的使用。

　　4、射频和微波建模能力

　　射频效应的精确建模需要可靠的测量数据。建立在已证实的基础上射频和微波测试的强度测量，EDA的按键EES提供各种射频仪器的配置例如按键PNA、PNA-X和ENA系列。IC-CAP射频提取模块专有和行业标准模型包括射频相关参数提取，确保您的模型适用于高频电路仿真。

　　5、最灵活的软件环境

　　IC-CAP以开放灵活的方式运行软件架构。尽管我们提供许多行业的交钥匙建模解决方案标准和专有型号，大多数测量和提取算法可以由用户修改。使用IC-CAP参数提取语言（PEL）或Python编程环境，您可以定义并添加自己的模型或提取直接进入IC-CAP的方法。什么时候？必要时，IC-CAP打开测量接口允许您编写自己的控制仪器的测量驱动器。也可以设计自定义建模通过实现带有IC-CAP图形用户界面的自定义用户界面对话框工作室。

　　6、用IC-CAP进行测量

　　成功的设备建模需要精确的测量数据和彻底的对复杂集成的理解测量硬件之间以及建模软件。IC-CAP软件是一个强大的建模工具

　　能自动化工业标准仪器以及系统。其测量接口为各种单一仪器和模型直流、交流和射频系统配置测量。收集测量数据储存在IC-CAP中，可直接使用用于参数提取和优化紧凑型设备。

　　7、全面的内置仪器库

　　IC-CAP的WaferPro提供推动行业标准的能力测量设备（从工作台顶部仪器到参数测试仪），以及作为第三方探测器，开关矩阵和热卡盘执行效率高，自动化晶圆温度测量。IC-CAP WaferPro集成到IC-CAP平台及其优势强大的测量和编程启用自定义库的环境有效的测量程序（例如自适应测量算法）大大减少了整体测量时间。因为测量程序是在IC-CAP环境中，简单或复杂的后处理（如计算现场测量或功绩数字去嵌入和直接提取），可以在保存数据之前应用于测量数据。数据保存在文件或SQL数据库中格式。扫描数据通常保存为ICCAP MDM文件格式，而点测量保存到Excel.csv文件。实现高效的数据查询和导入体积测量数据，数据可保存进入SQL数据库文件。IC-CAP提供用于查询和导入数据的专用API进入IC-CAP。见第11页表2探针、开关矩阵和热卡盘由WaferPro支持

　　8、高兼容性

　　德科技的PathWave软件平台可在Windows和Linux上运行，可在需要时为客户提供对所需设计和测试工具的灵活，即时的访问。设计和测试工具以及先进的数据管理的互操作性大大加快了产品开发周期，从而消除了在过程的每个离散阶段重新创建单独的测量和测试计划的需要。

　　9、操作简单

　　进一步提高灵活性，使工程师能够轻松导入和仿真表格数据（例如脉冲 I-V 和 S参数）。.很多时候测量数据是由其他组织以表格（.csv）格式提供的。新增的 LSYNC 输入功能能够将表格数据直接读入 IC-CAP LIST/LSYNC 输入和输出界面，然后使用 ADS 和建模程序轻松仿真相应的设置。为了直接支持 GaN 和 GaAs 建模等 III-V FET 建模，以及作为上述新 LSYNC 功能的直接示例，此版本提供了一个基于 Python 的新界面，用于读入 Maury 的 AMCAD 脉冲系统（AMCAD Pulsed System）测量数据。现在，您只需点击几次，便可轻松加载 Maury 的 DC IV（.mes）和 S 参数（.mps）文件，从而仿真和显示当曲线具有不同数量的点甚至不同的 Vd 点时的典型 DC IV 迹线（例如 IdVds 与 Vg）

　　ADS 平台和数据可视化显示

　　10、多项工作区管理功能。

　　我们实施了进一步优化，例如添加解释功能，使用户能够清晰了解工作区内各对象之间的独立性，甚至能够打开设计并突出显示相关性的具体位置。我们还添加了追踪原理图、数据集和数据显示（Data Displays）之间联系的功能。

　　11、数据显示

　　容量：存储器映射有利于更快地读取大型数据集，以及更快地缩放和平移图形

　　易用性：Expression 管理器使用户可以在单个电子表格中查看、选择和修改所有 DDS 公式。查找、替换、复制和粘贴功能使用户可以更轻松地构建或修改数据显示模板，公式的网表（文本）导出选项可将 DDS 公式轻松转换为基于原理图的测量公式，使它们可以直接保存在数据集中

　　查找问题：“右键单击和查找公式菜单”使用户能够识别当前公式所引用的其他公式，因此可以轻松识别和改正问题

新版特色

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）软件 2020 更新 2.0 的新特性

　　增强型 LSYNC 现在可为 DC、CV 和 S 参数仿真提供 V/I 输入温度——使用 PathWave 先进设计系统（ADS）和 ELDO 导入和仿真表格数据

　　Keysight I/O 程序库套件 2020 现在支持 LINUX

　　CMOS 建模套件升级——模型版本更新与补丁修复

　　脉冲和直流 IV 及 S 参数的新导入功能——新的 Python API 模块允许导入脉冲 IV 和 S 参数的 Maury/AMCAD 输出数据格式（.mes 和 .mps）

　　新增对 Cadence Spectre 模型库文件的支持——加载和浏览 Spectre 模型库文件，选择一个模型卡并将其导入 IC-CAP 的电路页面（实验功能）

　　仿真 ADS 中直流工作点数据的新功能——添加新输出类型“O”，从 ADS 仿真器读取直流工作点参数（实验功能）

　　缺陷修复和性能提升——包括最新修复以及此前在 IC-CAP 2020 更新 1.0 和 1.1 中提供的修复

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）软件 2020 更新 2.0 现已发布！

　　描述

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）软件 2020 更新 2.0 进一步提高灵活性，使工程师能够轻松导入和仿真表格数据（例如脉冲 I-V 和 S参数）。.很多时候测量数据是由其他组织以表格（.csv）格式提供的。新增的 LSYNC 输入功能能够将表格数据直接读入 IC-CAP LIST/LSYNC 输入和输出界面，然后使用 ADS 和建模程序轻松仿真相应的设置。

　　为了直接支持 GaN 和 GaAs 建模等 III-V FET 建模，以及作为上述新 LSYNC 功能的直接示例，此版本提供了一个基于 Python 的新界面，用于读入 Maury 的 AMCAD 脉冲系统（AMCAD Pulsed System）测量数据。现在，您只需点击几次，便可轻松加载 Maury 的 DC IV（.mes）和 S 参数（.mps）文件，从而仿真和显示当曲线具有不同数量的点甚至不同的 Vd 点时的典型 DC IV 迹线（例如 IdVds 与 Vg）。

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）软件 2020 更新 1.0 中的新特性

　　新 LSYNC 和脉冲 IV 导入

　　图 1. 显示了使用新 LSYNC 时，“Setup”（设置）菜单中的“Measure /Simulate”（测量/仿真）选项卡页面。这个输入是通过导入一个 Maury DC IV 脉冲文件（.mes）创建的。注意这个新类型 LYNC 输入“vg_pulse”是如何与它的主扫描 vd_pulse 保持同步的？“Setup”看上去很简单，但表中所显示的 I-V 负载很复杂，图 2 使用“Id-Vd 与 Vg”来显示这个 I-V 负载。注意为何这些曲线有不同的大小。游标和图例在二阶扫描 vg_pulse 上提供了预期信息。

　　图 1. 使用新 LSYNC 时，“Setup”菜单中的“Measure /Simulate”选项卡页面示例。

　　图 2. 相应的非矩形数据显示。

　　CMOS 建模套件升级

　　下列 CMOS 套件已更新：

　　BSIMSOI 模型更新至版本 4.6.0 和 4.6.1

　　HiSIM_HV 模型更新至版本 2.40

　　HiSIM2 模型更新至版本 3.0.0

　　PSP 模型更新至版本 103.5 和 103.6

　　实验功能

　　现在可以从 Cadence spectre（.scs）模型库文件导入模型卡。用户可以加载文件，浏览文件结构，并选择要加载到 IC-CAP 电路页面的模型卡。在加载模型卡之前，用户可以通过对话框定义要添加的实例行。图 3 便是一个新“Library Parser”对话框的外观示例。在建立 IC-CAP 模型后，经过修改的模型卡可以保存到新版本的模型库中。这一功能将提高用户的操作效率，并避免容易出错的手动编辑。

　　图 3. 使用新的模型库导入器（Library Importer）浏览一个 spectre 模型库 .scs 文件并选择将要导入的模型卡。

安装方法

　　1、下载软件以后直接点击iccap_2020_update2.0_win_x64.exe启动安装，等待软件加载安装数据

　　2、提示软件的安装界面，点击next

　　3、提示软件的安装协议内容，点击next

　　4、设置软件的安装地址C:\Keysight\ICCAP_2020_Update2

　　5、您也可以自己修改地址，小编将其安装到E盘

　　6、指定要用作主目录的目录

　　7、设置软件的开始菜单名字IC-CAP 2020 Update 2.0，勾选在桌面设置快捷方式

　　8、这里是软件安装信息查看，点击install就可以开始安装

　　9、如图所示，软件已经开始安装，等待安装结束吧

　　10、已经安装结束，点击done完成

　　11、弹出激活界面，点击退出关闭当前的界面

破解方法

　　1、打开下载的破解文件夹，将EEsof_License_Tools文件夹复制到许可证所在的文件夹，默认情况下为C：\ Program Files \ Keysight \ EEsof_License_Tools，点击替换该文件夹，注意不是复制到安装地址

　　2、打开复制完毕的文件夹，找到bin \ win32_64 \ server_install.bat，选择管理员身份运行

　　3、提示正在启动服务，等待服务内容启动完毕，点击任意键退出

　　4、运行“ Keysight_Licensing.reg”并确认将信息添加到Windows注册表中

　　5、将破解文件夹里面的ICCAP_2020_Update2复制到软件安装地址，替换主程序的文件夹，安装地址默认是C：\ Program Files \ Keysight \ICCAP_2020_Update2，小编的软件安装在E盘所以复制到这里替换

　　6、重启电脑，打开主程序，等待软件运行

　　7、选择我想指定一台执照伺服机，然后点击下一步

　　8、输入23111@localhost点击下一步

　　9、提示此产品的使用执照安装程序已完成，点击完成

软件优势

　　IC-CAP 器件建模套件提供器件和电路建模所需的基本工具，可以为以下应用提供必要的工具：

　　控制用于器件建模的标准直流、交流和 LCR 仪器，

　　创建并自动运行定制测量流程和提取例程

　　结合 ADS 和 Spice3 仿真器或直接链接的常用仿真工具运行仿真， 并进行优化。

　　套件可添加用于行业标准模型的整套模型提取应用软件以构建完整的解决方案。

　　1、IC‑CAP 软件环境

　　型号：85199A：这个 IC-CAP 基础环境提供数据管理、可视化和编程功能，包括 MultiPlot 与 GUI studio、PEL、数学变换和宏。

　　2、IC-CAP 分析模块

　　型号85199B：与 W8501 结合使用可提供 ADS 仿真器、强大的优化引擎以及与常用仿真器的链接。

　　3、LCRZ 测量驱动程序

　　型号85199C：支持 IC-CAP 控制和自动运行 LCRZ 测量仪器

　　4、直流测量驱动程序

　　型号85199D：IC-CAP 控制和自动运行直流测量仪器

　　5、交流测量驱动程序

　　型号85199E：支持 IC-CAP 控制和自动运行交流测量仪器

　　当运行WaferPro Express软件中的测试例程时，根据批次名称，晶圆，温度，设备类型，极性，标线片位置和特定的测量参数组，将得到的测量数据组织到更深的子目录层次结构中。

　　在并排绘制来自不同标线的设备数据时，这种层次结构导航起来很麻烦。 IC-CAP 2018中引入的数据查看器会自动导航目录结构，查找相关数据并生成图，因此您可以考虑数据的真正含义。

　　现在可以轻松生成最常见的图，包括对偏差的测量以及来自整个晶圆的统计数据，以直方图或晶圆图分布的形式显示。

　　使用IC-CAP提取模型

　　典型的建模过程包括根据设备技术及其最终电路应用（例如，DC，高频或两者）选择模型，进行必要的测量以表征设备或一组设备，然后最终应用提取算法 计算模型参数。 通过使用内置或自定义模型方程式根据测量数据计算参数，或通过调整或优化技术，可以实现最后一步。

　　IC-CAP提供了工程师开发自己的提取方法所需的平台和工具。 是德科技和第三方供应商均为需要在第一天就启动并运行的用户提供了交钥匙建模提取包

　　具有增强的，可扩展的RF栅极和衬底电阻模型的高精度RF提取方法。

　　–目标建模功能。通过目标建模，用户可以根据目标（现场数据）提取初步模型，或者重新定位现有模型的中心以匹配新的工艺规格。

　　–转角建模提取。基于工艺参数的统计变化和典型的提取库，该软件包允许用户提取用于CMOS工艺的角库。然后，可以在所有受支持的模拟器上针对各种器件，温度和偏置条件对最终库进行验证。

　　BCTM VBIC BJT模型

　　VBIC是Vertical Bipolar Inter-Company（垂直双极内部公司）的缩写，Vertical Bipolar Inter-Company是由双极电路和技术会议（BCTM）联盟开发的公共领域模型。 它可以模拟准饱和，雪崩和衬底效应。 最新版本包括自热效应。

　　高频BJT建模套件

　　该软件包包括对Gummel-Poon模型的提取，该模型几十年来一直是BJT设备的行业标准模型。该软件包包括GP模型提取的特殊版本，非常适合RF应用。此处，CV测量被S参数测量代替，从而使结电容提取更加方便和准确。还包括提取理想性，基极电阻和反向早期电压的改进方法。除了标准GP外，该软件包还提供了Keysight EEBJT2模型的提取，这是一种改进的GP模型，可提高AC和DC行为的准确性。

　　该软件包还包括MEXTRAM CMC行业标准双极性模型的提取。飞利浦/ NXP研究实验室，TU Delft和EDA的Keysight EEs联合开展的工作已在IC-CAP中实施了其提取。该模型已在飞利浦/ NXP中广泛使用，已被证明具有极强的鲁棒性和准确性。

　　ADS HBT建模套件

　　是德科技ADS HBT（AHBT）提取程序包为III-V HBT器件建模提供了全面的测量和提取程序。 AHBT是一个完整的HBT模型，专为GaAs，SiGe和InP工艺设计，同时支持单异质结和双异质结。 一揽子计划包括全面的测量和提取程序

　　MESFET建模

　　高频MESFET和PHEMT建模套件包括以下模型的摘录：

　　Angelov-GaN模型

　　由于俘获和热效应对器件电气特性的影响，因此氮化镓（GaN）器件的建模具有挑战性。标准GaAs模型对于这种类型的设备不够准确。由查尔默斯理工大学的I. Angelov教授开发的Angelov-GaN模型已成为行业标准的解决方案。是德科技的W8533 IC-CAP Angelov-GaN提取套件提供了专用的软件环境，允许用户执行必要的测量和Angelov-GaN模型的提取。支持典型的直流和网络分析仪，用于进行直流和S参数测量和去嵌入。便捷的用户界面使用户可以执行分步提取流程来提取模型参数。包装内提供的交钥匙流程可实现完全定制。使用Keysight ADS执行仿真。

　　Curtice，Statz MESFET模型

　　该软件包包括用于三种流行的行业标准MESFET模型的提取例程：Curtice二次方，Curtice三次方和Statz（Raytheon）。三种模型之间的差异在于描述设备的DC和AC特性的经验关系。 IC-CAP从直流和S参数测量的组合中提取模型参数。

　　EEFET3 / EEHEMT1型号

　　这些是通用GaAs FET或HEMT应用的经验非线性模型，包括大信号，三端子IC和封装器件。他们可以精确地建模与直流和偏置相关的S参数，时间延迟，亚阈值电流以及Rds的色散。还包括基于Keysight EEsof EDA原始方程式的漏极电流模型以及Cgs和Cgd的高级模型，包括跨电容效应。还考虑了漏极电流中的静态自热效应。这些模块提供了高度自动化的参数提取技术，并自动提取了封装寄生参数。 HEMT与MESFET类似，但在Gm与Vgs的行为方面有一个明显的区别。 EEHEMT1是EEFET3的超集，并具有一组用于模拟HEMT的Gm压缩的分析功能。

　　根MESFET / HEMT模型

　　这些是独立于过程和技术的，基于数据的模型，适用于大信号三终端应用。他们对GaAs FET和HEMT的非线性建模，包括频率色散。这些模型可扩展以适应各种几何形状，并具有自动数据采集以及高速模型生成功能。

　　Root MESFET / HEMT模型创建者包含在Root Models生成器软件许可证中。

　　NeuroFET模型

　　尽管Root模型是当今的一项重大发明，但由于基于表格的设备电流和电荷表示形式，因此具有一些局限性。使用基于表的模型时，必须在器件操作的整个偏置范围内对所有多元电容和电导进行建模之间进行非最佳折衷。 NeuroFET模型是Root模型的演变，具有相同的拓扑结构，但表格已被人工神经网络（ANN）取代。人工神经网络是一种基于大脑工作方式的计算范式-它们可以根据称为神经元的高度互连的非线性处理函数的网络，平滑地逼近任何非线性函数。先进的机器学习（AI）训练算法可识别节点之间的权重，以最佳且平滑地近似模型非线性电流和电荷函数。这对于准确表示失真行为至关重要，尤其是在需要高阶精确导数的低信号电平下尤其如此。 NeuroFET模型还在测量数据的边界之外添加了复杂的外推方法，从而实现了稳健的DC和大信号仿真器的收敛性能。所得模型与技术无关，并且适用于硅和III-V材料的HEMT和FET器件。它不适用于无源混频器或开关应用。

　　DynaFET模型

　　获得专利的Keysight DynaFET模型代表了器件建模中的另一项重大创新，因为它可以对动态自发热和陷获效应进行建模，这归因于重要的III-V FET动态现象，例如漏极滞后，电流崩溃和栅极滞后。 DynaFET使用新颖的模型识别程序直接从大信号波形数据中识别（提取）陷阱状态和结温，并得出这些动态变量与器件电性能的详细耦合。与NeuroFET一样，DynaFET也使用ANN来描述设备的电荷和电流，但是该公式已扩展为包括设备温度和电荷捕获状态，作为神经网络的附加输入。复杂的机器学习算法使用DC，S参数和在不同环境温度下的大信号波形测量数据来训练网络。使用Keysight非线性矢量分析仪（NVNA）在低基频（100 MHz），不同温度，直流工作点，功率水平和负载阻抗下测量非线性波形数据。

　　W8501 IC-CAP核心环境

　　W8501是IC-CAP框架。它允许您使用C编程语言执行数学转换，自定义图，编写PEL和Python宏，创建提取例程以及编写用户定义的函数。包括一个广泛的功能库。还包括IC-CAP Studio，它使您能够开发自定义图形用户界面。

　　W8500 IC-CAP建模平台套件

　　Keysight W8500建模套件提供了开始对设备和电路进行测量和建模所需的基本工具。建模套件包含以下组件：

　　– W8501核心环境

　　– W8502仿真与分析

　　– W8520仪器连接

　　通过建模包，您可以设置自定义提取例程，使用仪器驱动程序测量数据，分析结果，执行仿真以及优化提取的参数。免费提供大量建模示例，以此为起点来构建和设计自己的提取工具包

　　是德科技W8511 IC-CAP晶圆专业测量套件

　　W8511提供了使用WaferPro在晶片上运行自动DC，CV和RF测量的功能。它包括以下组件：

　　– W8501核心环境

　　– W8520仪器连接

　　– W8510 IC-CAP Wafer专业版（WaferPro）

　　IC-CAP WaferPro在IC-CAP平台内并与之协同工作，并允许用户创建和执行自动测试计划。有关更多详细信息，请参见下面的W8510 WaferPro部分。请注意，该捆绑软件不包括W8502仿真和分析，必须添加W8502仿真和分析才能在仿真模式下运行测试计划。

　　W8502分析模块

　　分析模块是IC-CAP仿真器引擎，它可以使用默认的仿真器ADS，内置的SPICE仿真器或链接到其他广泛的外部仿真器来仿真设备或电路性能。包括使用ADS仿真线性（DC，CV和AC）和瞬态仿真的功能。可以使用IC-CAP开放仿真器界面添加到其他（SPICE）仿真器的链接。请参考网络以获取所支持的模拟器链接及其版本的完整列表。

　　W8510 Wafer Professional（WaferPro）

　　IC-CAP WaferPro是功能强大的测试计划套件，专门用于晶圆上DC / CV和RF测量。 WaferPro允许用户通过管理晶圆图和设备信息，测量例程和条件来创建和执行自动化测试计划。 WaferPro包括几个内置的测量例程，但足够灵活，用户可以自定义后处理数据的测量和计算。测得的扫描数据被保存到IC-CAP MDM文件中，而点测量被方便地保存到.csv文件（逗号分隔文件）中。对于大量应用程序，WaferPro还可以将数据保存到IC-CAP SQL数据库。 SQL数据库经过专门设计，可存储晶圆上的测量数据，并具有内置的灵活性，可以容纳各种自定义数据。还支持SQLite和MySQL。 WaferPro支持所有IC-CAP仪器，包括是德科技参数407x和408x参数测试系统，以及各种行业标准的全自动化和半自动化探测器。请参阅第11页的表2，以获取WaferPro支持的探测器，开关矩阵和热卡盘的列表。

　　W8503数据选择和处理

　　IC-CAP数据选择和处理工具（DataPro）是一个单独的工具包，可对选定的测量数据进行统计分析，并基于统计分布和方差来识别黄金和死角。 DataPro可以直接从WaferPro（基于文件或数据库）或简单的IC-CAP项目格式导入数据。统计分析可以应用于扫描类型或点类型的测量。

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化镓射频建模软件套件的插件为氮化镓器件建模应用中的 2 个物理模型提供了高效的提取流程。紧凑模型联盟（CMC）已于 2017 年批准这两种模型成为行业标准。

　　高电子迁移率晶体管高级 Spice 模型（ASM-HEMT 模型）

　　MIT 虚拟源氮化镓模型或 MVSG_CMC 模型

　　两种模型均已针对高频（射频）和高压（电力电子）应用做出了明确定义。作为物理模型，它们可以为氮化镓工艺开发人员带来更广阔的分析视野。例如，工艺工程师可以了解到增加迁移率或降低接触电阻对提高整体功率放大器效率的好处，从而通过优化物理器件建模参数，对芯片工艺加以改进，实现电路和系统性能的提升。

　　PathWave 器件建模软件（IC-CAP）2020 中推出的射频氮化镓工具套件采用了简单易用的用户界面，为提取 ASM-HEMT 和 MVSG 模型参数奠定了良好的基础。现在，用户可以在单个平台中启动测量，并将数据导入 IC-CAP 平台提取模型参数，然后将生成的模型卡导出到先进设计系统（ADS）或任何其他可以运行这些模型的仿真器中。该工具套件还提供了两个示例流程：一个用于 MVSG，另一个用于 ASM-HEMT。

　　找到正确的参数组合使模型数据与测量数据相匹配仍然有相当的挑战性，但更具挑战性的是推导出提取方法或一连串的参数调整步骤。为新模型开发新提取流程可能需要半年甚至更长时间。建模工程师需要探究并隔离每个参数的影响，从而确定实现拟合的最佳数据。工程师通常会意识到，模型参数提取流程早期的一点小错误也有可能导致整个流程最终出现拟合准确性问题而前功尽弃。借助 IC-CAP 提供的射频氮化镓工具套件，建模工程师将可以灵活选择提取方法，并使用这些模型快速开始工作。

　　如下面的图 1 所示，功能强大的用户界面使建模工程师可以专注于提取流程，而无需操心参数记录、数据绘图等操作。

　　图 1. DC-CV-Spar-建模最终拟合。

　　建模工程师可以选择参数组，以便重点关注选定的主题。他们还可以通过列表进一步细化参数选择。同样，他们也可以选择绘图来展示每个参数的效果。在顶部区域，工程师可以选择优化或调谐所选的参数。

　　产品套件

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化镓射频建模软件套件的插件需要与以下产品配合使用：

　　W8501EP IC-CAP 核心环境

　　W8502EP IC-CAP 仿真和分析软件

　　W8525BP IC-CAP CMC 氮化镓建模软件套件包括以下产品：

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化镓射频建模软件套件的插件

　　W8500BP IC-CAP 器件建模平台软件套件

　　W8501EP IC-CAP 核心环境是 IC-CAP 软件框架，提供数据管理、可视化显示和编程功能（使用 PEL），并包括 MultiPlot 和 GUI studio、数学变换和宏命令以及与 SQL 数据库的链接。

　　PEL – 编程提取语言，用于创建和自动运行测量与提取流程

　　IC-CAP MultiPlot Studio 可以通过单一窗口提供“n”个绘图、颜色规范、符号和绘图注释。使用每个绘图侧边的按键，您可以方便地调用缩放、优化/调谐、定标、误差计算以及更改 X/Y 轴等功能。IC-CAP MultiPlot Studio 概述

　　IC-CAP GUI Studio 能够创建用于自动执行定制测量和提取流程的用户界面。这些图形用户界面也可以与其他同事或客户共享，极大方便他们执行测量和提取

　　SQL 数据库链接提供与 MySQL 和 SQLite 数据库的链接，使用户可以查询或将 WaferPro 的测量数据导入 IC-CAP 进行建模

　　另外还包括一个程序库，方便用户访问常用的数学函数、晶圆探针台驱动程序和开关矩阵驱动程序。

　　W8502EP IC-CAP W8502EP IC-CAP 仿真与分析软件可以使用自带的先进设计系统（ADS）或 SPICE3 仿真器或直接连接到支持的外部仿真器来分析或仿真器件特性，并能将仿真结果与测量或目标数据进行对比。

　　分析模块还包括 13 个强大的优化算法和绘图优化器。绘图优化器支持用户从任意 IC-CAP 绘图直接设置快速优化。

　　仿真与分析模块提供 ADS 线性、瞬态、谐波平衡和 Verilog-A 功能。

　　IC-CAP 优化算法：

　　算法/描述

　　Levenberg-Marquardt：使用最小平方误差函数的非线性搜索方法。

　　随机：使用随机梯度误差函数的随机搜索方法。

　　混合（随机/LM）：随机与 Levenberg-Marquardt 算法及误差函数的组合。

　　灵敏度分析：设计变量的单点或极小灵敏度分析。打印每个参数的局部衍生。

　　随机（Gucker）：使用最小平方误差函数的随机搜索方法。

　　梯度：使用最小平方误差函数的梯度搜索方法。

　　随机最小最大：使用最小最大误差函数的随机搜索方法。

　　梯度最小最大：使用最小最大误差函数的梯度搜索方法。

　　拟牛顿：使用最小平方误差函数的拟牛顿搜索方法。

　　最小 Pth：使用最小 Pth 误差函数的拟牛顿搜索方法。

　　最小最大：使用最小最大误差函数的双段高斯-牛顿/拟牛顿方法。

　　混合（随机/拟牛顿）：随机和拟牛顿搜索方法的组合。

　　遗传：使用演进参数组的直接搜索方法。

更新日志

　　Keysight IC-CAP 2020.2更新日志

　　1、B1500 / B1505数据输出格式的新默认值从4位更改为8位。

　　2、修复了DC_OP类型Mode'O ' 的Python get_child_objects输出。

　　3、修复了get_val（）的tablevar Python API函数。

　　4、修复了带有温度的LINUX上S参数LSYNC仿真崩溃的问题。

　　5、解决了使用插槽1单元作为非主设备进行B1500 SYNC测量的问题。

　　6、修复了IF带宽问题，以将1 MHz至15 MHz作为PNA仪器的可能值。

　　7、固定的负电容会在Spectre 2端口仿真中使用特定的电容网络。

　　8、修复了反斜杠无法在ADS-HBT工具包和Angelov-GaN工具包中指定校准集文件的路径的问题。

　　9、修复了在将非常长的方程式读取到IC-CAP MODEL和/或DUT电路页面中的电路文件时崩溃的问题。

　　10、修复了通过PEL编程修改IC-CAP变量表中的变量值字段可能发生的内存泄漏。

　　11、修复了在HB 2音模拟中并非所有数据点都完全读入Output的问题。

　　12、修复了4155/4156上的采样测量不适用于VSU和HPSMU的问题。

　　13、修复了无法从PEL设置为String-type的输入值的问题。

　　14、修复了将自定义GUI滑块小部件的当前调谐器值设置在最大或最小调整范围之外时崩溃的问题。